ミニマルファブ

経済産業省　平成27年度　戦略的基盤技術高度化支援事業（サポイン）に採択されました。

補助事業計画名「マイクロ波励起プラズマを用いた低ダメージ薄膜形成用ミニマル装置の開発」

本事業研究開発実施機関（共同申請者）　東北大学、誠南工業株式会社、株式会社コーテック

本事業計画はCMOS回路のさらなる微細化・高性能化に必須となるシリコン窒化膜形成用プラズマCVD技術をミニマル化したプロセス装置に実現することです。（図１参照）そのために、東北大学で長年培ってきたマイクロ波励起高密度プラズマプロセス技術を基本として開発を行います。本技術は反応性の高い活性種を自在に励起させ、低温・低ダメージでのプロセスが可能であることを特長としており、メガファブにおける大口径ウェーハを用いた半導体生産工程においてはすでに導入されている技術であるこの技術をミニマルファブシステムに導入することが強く望まれる。

ミニマルファブの意義

ミニマルファブシステムにおける特徴の一つは、メガファブシステムでは柔軟に対応できない小回りの効いたデバイスの生産および生産効率の向上であり、低コスト、省スペース、更に省エネ等、様々なメリットが期待できる。近年、ミニマルファブプロセスを用い、シリコン半導体ICの基本回路であるCMOSの作成に成功している（図２（a）参照）。CMOS回路を実現することで、アナログやディジタルの様々な回路を低消費電力で形成可能となる。これにより、消費者ニーズに応じた多種多様な半導体IC、例えば車載用マイコン、携帯電話用LSI、家電製品用システムLSI等の多品種少量生産に対応が可能となり、ミニマルファブシステムの市場拡大に大きく寄与することができる。